Christian Jongeneel
Intel verraste bezoekers van het LithoVision-congres eind februari in San Jose, Californië, door aan te kondigen hoe het transistors van elf nanometer gaat maken.
Chips waarop de kleinste structuren elf nanometer meten, moeten volgens het straffe miniaturisatietempo van de elektronica rond 2016 op de markt zijn. Bij deze afmetingen beginnen kwantumeffecten een rol te spelen, zodat hier de micro-elektronica definitief in nano-elektronica overgaat. Intel verraste dan ook met de aankondiging dat het deze chips denkt te gaan maken met een traditionele technologie: 193 nm immersion.
Â
Bij immersion wordt de lucht tussen de lens en de wafer in het lithografische proces vervangen door een vloeistof, doorgaans extreem gezuiverd water. De andere brekingsindex maakt dat de wafer nauwkeurig belicht kan worden. Bijzonder is ook dat Intel denkt licht met een golflengte van 193 nm te gaan gebruiken. Immersion met 193 nm-licht is ook de technologie waarmee het bedrijf nu structuren van 32 nanometer maakt. Intels eerste 32 nm-chip, de Arrandale-processor, kwam in januari op de markt.
Â
Intel trad niet in details welke extra trucs het denkt te gaan toepassen om de bestaande technologie bruikbaar te maken voor 11 nm. Duidelijk is dat er pitch division (ook bekend als double patterning) aan te pas zal komen. Hierbij wordt de wafer niet één maar meerdere keren belicht. Omdat iedere belichting voor een zekere onnauwkeurigheid zorgt bij het uitharden van de fotolak, ontstaat bij meerdere belichtingsstappen een cumulatief effect dat leidt tot een beter beheersbare gemiddelde onnauwkeurigheid.
Â
Overigens sluit Intel niet uit alsnog naar een lagere golflengte dan 193 nm over te stappen, als het die technologie in 2012 rijp genoeg acht. Dat biedt nieuwe mogelijkheden voor ASML, een voorloper op dit gebied. Intel gebruikt voor zijn 32 nm chips uitsluitend apparatuur van Nikon.
