Electron Beam Lithography herleeft

Teake Zuidema

Burn Lin van Taiwan Semiconductor Manufacturing zegt in IEEE Spectrum dat electron beam lithography (EBL) dankzij geavanceerde micromachining een serieuze concurrent wordt voor extreme ultraviolet lithography (EUV) bij het etsen van alsmaar kleinere circuits op wafers.

EBL is door insiders jarenlang afgeschreven als te duur en te langzaam voor nanolithografie. Taiwan Semiconductor bereikt echter goede resultaten met een apparaat van Mapper met 110 electron beams dat zonder masker gebruikt kan worden om honderdvijftig wafers per uur te maken. Het zal met EBL volgens Lin ook eerder mogelijk zijn om elementen van 10 nm te maken dan met EUV. Zodra de halfgeleidersector overschakelt naar wafers van 450 mm zou EBL bovendien bijna de helft goedkoper zijn dan EUV.

Lees ook

Nieuws brief
* indicates required